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STFW4N150

Name: STMicroelectronics STFW4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW4N150
Price: 5.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STFW4N150

N° de fab. :

STFW4N150

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Fiche technique:

STFW4N150 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,51 €	5,51 €
	4,22 €	42,20 €
	3,41 €	341,00 €
	3,04 €	1 824,00 €
	2,60 €	3 120,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3PF-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerMESH
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STFW4N150
Nombre de pièces de l'usine:	300
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	7 g

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Fiche technique

STFW4N150 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.