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STGB20H65FB2

Name: STMicroelectronics STGB20H65FB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB20H65FB2
Price: 2 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

511-STGB20H65FB2

N° de fab. :

STGB20H65FB2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

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Fiche technique:

STGB20H65FB2 Fiche technique (PDF)

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Délai usine :: 15 Semaines Délai de production estimé en usine.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,00 €	2,00 €
	1,26 €	12,60 €
	0,852 €	85,20 €
	0,707 €	353,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,599 €	599,00 €
	0,569 €	1 138,00 €
	0,554 €	2 770,00 €
	0,549 €	5 490,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

STGB20H65FB2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-03-05 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.