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STGB4M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB4M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB4M65DF2
Price: 0.35 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGB4M65DF2

N° de fab. :

STGB4M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

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Fiche technique:

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D2PAK-3
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	8 A
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGB4M65DF2
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	8 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

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PCN

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USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.