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STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD5H60DF
Price: 1.12 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGD5H60DF

N° de fab. :

STGD5H60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Fiche technique:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,12 €	1,12 €
	0,694 €	6,94 €
	0,455 €	45,50 €
	0,367 €	183,50 €
	0,334 €	334,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,277 €	692,50 €
	0,245 €	1 225,00 €
	0,225 €	2 250,00 €
	0,224 €	5 600,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	10 A
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGD5H60DF
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	10 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H de STMicroelectronics sont des IGBT à haute vitesse développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une durée de tenue au court-circuit de 5 µs minimum à T_J=150 °C, une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (V_ce(sat)) jusqu'à 2,1 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE_(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr. Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H sont idéaux pour les alimentations sans coupure, les machines de soudage, les onduleurs photovoltaïques, la correction de facteur de puissance et les convertisseurs haute fréquence.
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