STGD6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 158

Stock:
2 158 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,48 € 1,48 €
0,937 € 9,37 €
0,625 € 62,50 €
0,492 € 246,00 €
0,449 € 449,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,402 € 1 005,00 €
0,384 € 1 920,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGD6M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 12 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 uA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 330 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99