STGF20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGF20H65DFB2
STGF20H65DFB2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack

Cycle de vie:
Fin de vie:
Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 873

Stock:
873 Expédition possible immédiatement
Les quantités supérieures à 873 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,18 € 2,18 €
1,08 € 10,80 €
0,963 € 96,30 €
0,768 € 384,00 €
0,738 € 738,00 €
0,716 € 1 432,00 €
0,663 € 3 315,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
45 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: STMicroelectronics
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 1,690 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.