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STGF6M65DF2

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N° Mouser :

511-STGF6M65DF2

N° de fab. :

STGF6M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STGF6M65DF2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	12 A
Pd - Dissipation d’énergie :	24.2 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGF6M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	12 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g