STGP10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 382

Stock:
2 382 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,70 € 1,70 €
1,08 € 10,80 €
0,73 € 73,00 €
0,578 € 289,00 €
0,528 € 528,00 €
0,507 € 1 014,00 €
0,47 € 2 350,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
STGP10M65DF2
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99