STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Modèle de ECAO:
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2 000
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Délai usine :
15
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,79 € 2,79 €
1,57 € 15,70 €
1,20 € 120,00 €
0,98 € 490,00 €
0,903 € 903,00 €
0,846 € 1 692,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 60 A
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99