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STGW15M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW15M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW15M120DF3
Price: 5.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGW15M120DF3

N° de fab. :

STGW15M120DF3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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Fiche technique:

STGW15M120DF3 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	30 A
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	M
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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