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STGW20V60DF

Name: STMicroelectronics STGW20V60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW20V60DF
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGW20V60DF

N° de fab. :

STGW20V60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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Fiche technique:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,53 €	3,53 €
	1,94 €	19,40 €
	1,69 €	1 014,00 €
	1,63 €	1 956,00 €
	1,60 €	4 800,00 €
	1,56 €	8 424,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.3 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	40 A
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW20V60DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,500 g

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Fiche technique

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-6-20 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.