STGW25M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW25M120DF3
STGW25M120DF3

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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2,63 € 263,00 €
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
50 A
326 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 38 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.