STGW40M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW40M120DF3
STGW40M120DF3

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

Modèle de ECAO:
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En stock: 374

Stock:
374 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,81 € 5,81 €
3,31 € 33,10 €
2,76 € 276,00 €
2,37 € 1 422,00 €
2,26 € 2 712,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 40 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 38 g
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Attributs sélectionnés: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99