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STGW60H65DFB-4

Name: STMicroelectronics STGW60H65DFB-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW60H65DFB-4
Price: 3.37 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGW60H65DFB-4

N° de fab. :

STGW60H65DFB-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

STGW60H65DFB-4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-4
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW60H65DFB-4
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	4,430 g