STGW60V60DF

STMicroelectronics
511-STGW60V60DF
STGW60V60DF

Fab. :

Description :
IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
998
15/06/2026 attendu
Délai usine :
14
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,35 € 4,35 €
2,43 € 24,30 €
2,00 € 200,00 €
1,84 € 1 104,00 €
1,53 € 1 836,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247
Through Hole
Single
600 V
2.35 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGW60V60DF
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 6,500 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99