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STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 5.43 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGW75H65DFB2-4

N° de fab. :

STGW75H65DFB2-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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27/07/2026 attendu
Délai usine :: 15

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Prix unitaire:

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Tarif est.:

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	5,43 €	5,43 €
	3,62 €	36,20 €
	3,50 €	350,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	115 A
Pd - Dissipation d’énergie :	357 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	4,430 g