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STGW80V60F

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N° Mouser :

511-STGW80V60F

N° de fab. :

STGW80V60F

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STGW80V60F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	469 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW80V60F
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g