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STGWA20M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA20M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20M65DF2
Price: 1.16 EUR
Availability: Discontinued

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGWA20M65DF2

N° de fab. :

STGWA20M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

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Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

STGWA20M65DF2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	40 A
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	HB2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	40 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STGWA20M65DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.