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STGWA25M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA25M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25M120DF3
Price: 4.77 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWA25M120DF3

N° de fab. :

STGWA25M120DF3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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Fiche technique:

STGWA25M120DF3 Fiche technique (PDF)

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,77 €	4,77 €
	2,68 €	26,80 €
	2,23 €	223,00 €
	1,88 €	1 128,00 €
	1,74 €	2 088,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	M
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	25 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

STGWA25M120DF3 Fiche technique (PDF)

Application Notes

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.