STGWA50H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA50H65DFB2
STGWA50H65DFB2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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Fiche technique:
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En stock: 220

Stock:
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Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,87 € 3,87 €
2,60 € 26,00 €
1,89 € 189,00 €
1,53 € 918,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
86 A
272 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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