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STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 5.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWA80H65DFBAG

N° de fab. :

STGWA80H65DFBAG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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	5,50 €	5,50 €
	3,25 €	32,50 €
	2,70 €	324,00 €
	2,61 €	1 331,10 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	535 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,100 g