STGWA80H65FB

STMicroelectronics
511-STGWA80H65FB
STGWA80H65FB

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

Modèle de ECAO:
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En stock: 515

Stock:
515 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,26 € 5,26 €
3,67 € 36,70 €
2,98 € 298,00 €
2,34 € 1 404,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
469 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA80H65FB
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 80 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 38 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99