STGWT30H65FB

STMicroelectronics
511-STGWT30H65FB
STGWT30H65FB

Fab. :

Description :
IGBTs PTD IGBT & IPM

Cycle de vie:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
650 V
1.75 V
- 20 V, 20 V
30 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT30H65FB
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 300
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 6,756 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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