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STGWT80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT80H65DFB
Price: 6.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWT80H65DFB

N° de fab. :

STGWT80H65DFB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd

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STGWT80H65DFB Fiche technique (PDF)

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	6,34 €	6,34 €
	3,64 €	36,40 €
	3,04 €	304,00 €
	2,80 €	1 680,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3P
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	469 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGWT80H65DFB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	300
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,756 g

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Fiche technique

STGWT80H65DFB Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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