STGYA50H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA50H120DF2
STGYA50H120DF2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 490

Stock:
490 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,62 € 5,62 €
3,94 € 39,40 €
3,45 € 414,00 €
3,35 € 1 708,50 €
3,29 € 3 355,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
100 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 4,430 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99