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STH270N8F7-2

Name: STMicroelectronics STH270N8F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH270N8F7-2
Price: 4.91 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STH270N8F7-2

N° de fab. :

STH270N8F7-2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Fiche technique:

STH270N8F7-2 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,91 €	4,91 €
	3,28 €	32,80 €
	2,34 €	234,00 €
	2,11 €	1 055,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,82 €	1 820,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	193 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	315 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	42 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	180 ns
Série:	STH270N8F7-2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	98 ns
Délai d'activation standard:	56 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STH270N8F7-2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Italie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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