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STH80N10LF7-2AG

Name: STMicroelectronics STH80N10LF7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH80N10LF7-2AG
Price: 2.67 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STH80N10LF7-2AG

N° de fab. :

STH80N10LF7-2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 packag

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Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

STH80N10LF7-2AG Fiche technique (PDF)

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	1,20 €	120,00 €
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	0,869 €	1 738,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	28.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	33 ns
Série:	STH80N10LF7-2AG
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	69.3 ns
Délai d'activation standard:	14.7 ns