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STHU36N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STHU36N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU36N60DM6AG
Price: 2.56 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STHU36N60DM6AG

N° de fab. :

STHU36N60DM6AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	99 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	210 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-7-23 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.