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STHU65N050DM9AG

Name: STMicroelectronics STHU65N050DM9AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU65N050DM9AG
Price: 8.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STHU65N050DM9AG

N° de fab. :

STHU65N050DM9AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HU3PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	51 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	100 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	245 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	MDmesh M9
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Poids de l''unité:	2,320 g

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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