STL130N6F7

STMicroelectronics
511-STL130N6F7
STL130N6F7

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

Modèle de ECAO:
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Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,41 € 2,41 €
1,56 € 15,60 €
1,08 € 108,00 €
0,877 € 438,50 €
0,807 € 807,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,742 € 2 226,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
60 V
130 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 24 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 44 ns
Série: STL130N6F7
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type: 62 ns
Délai d'activation standard: 24 ns
Poids de l''unité: 76 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible RDS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible RDS(on) du marché.
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