Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STL175N4LF8AG

Name: STMicroelectronics STL175N4LF8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL175N4LF8AG
Price: 1.96 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STL175N4LF8AG

N° de fab. :

STL175N4LF8AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET

Complétez votre conception

Fiche technique:

STL175N4LF8AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STL175N4LF8AG

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,96 €	1,96 €
	1,25 €	12,50 €
	0,839 €	83,90 €
	0,68 €	340,00 €
	0,61 €	610,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,561 €	1 683,00 €
	0,547 €	3 282,00 €
	0,541 €	4 869,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	167 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	34.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	111 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	3.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.5 ns
Série:	STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STL175N4LF8AG Fiche technique (PDF)

Other

AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres.