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STL220N3LLH7

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N° Mouser :

511-STL220N3LLH7

N° de fab. :

STL220N3LLH7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET POWER MOSFET

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STL220N3LLH7 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	220 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	113 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	51 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	115 ns
Série:	STL220N3LLH7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	55 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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ECCN:: EAR99

STMicroelectronics STripFET™ H7 MOSFETs

STMicroelectronics STripFET H7 series are optimized for high-density, high-performance power management systems. The STripFET H7 have low conduction losses for a better efficiency, and switching performance improvement (lower VDS spike and no HF ringing). This series of trench-gate low-voltage MOSFETs combine an extremely low on-resistance and ultra low capacitances with an optimized built-in Schottky diode for higher switching frequency operation.
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