STL33N60DM2

STMicroelectronics
511-STL33N60DM2
STL33N60DM2

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 2 200

Stock:
2 200 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 2200 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
4,40 € 4,40 €
3,16 € 31,60 €
2,27 € 227,00 €
2,20 € 1 100,00 €
1,99 € 1 990,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,87 € 5 610,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
115 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 8 ns
Série: STL33N60DM2
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 62 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
Poids de l''unité: 180 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2

Les MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2 STMicroelectronics  sont produits grâce à une nouvelle génération de technologie MDmesh™ : MDmesh II Plus™ à faible Qg. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à un tracé en bande pour atteindre un faible niveau de résistance en fonctionnement et de charge de grille. Ils conviennent aux convertisseurs exigeant un haut rendement et sont idéaux pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
En savoir plus