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STL36DN6F7

Name: STMicroelectronics STL36DN6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL36DN6F7
Price: 1.22 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL36DN6F7

N° de fab. :

STL36DN6F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Fiche technique:

STL36DN6F7 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,22 €	1,22 €
	0,771 €	7,71 €
	0,512 €	51,20 €
	0,401 €	200,50 €
	0,365 €	365,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,318 €	954,00 €
	0,302 €	1 812,00 €
	0,293 €	2 637,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	58 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Dual
Temps de descente:	3.95 ns, 3.95 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.25 ns, 3.25 ns
Série:	STL36DN6F7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	12.1 ns, 12.1 ns
Délai d'activation standard:	7.85 ns, 7.85 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible R_DS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible R_DS(on) du marché.
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