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STN1NK60ZL

Name: STMicroelectronics STN1NK60ZL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN1NK60ZL
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STN1NK60ZL

N° de fab. :

STN1NK60ZL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET

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Fiche technique:

STN1NK60ZL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,851 €	0,85 €
	0,53 €	5,30 €
	0,345 €	34,50 €
	0,265 €	132,50 €
	0,239 €	239,00 €
	0,218 €	436,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,183 €	732,00 €
	0,177 €	1 416,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-223-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	300 mA
Rds On - Résistance drain-source:	13 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	4.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	SG
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	28 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	STN1NK60ZL
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	5.5 ns
Poids de l''unité:	110 mg