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STO60N045DM9

Name: STMicroelectronics STO60N045DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO60N045DM9
Price: 8.69 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

511-STO60N045DM9

N° de fab. :

STO60N045DM9

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Fiche technique:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Série:	MDmesh DM9
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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