STO68N65DM6

STMicroelectronics
511-STO68N65DM6
STO68N65DM6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
Reel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Temps de descente: 7.5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 12 ns
Série: MDmesh DM6
Nombre de pièces de l'usine: 1800
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 69 ns
Délai d'activation standard: 23 ns
Poids de l''unité: 697 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Qg) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.