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STP110N7F6

STMicroelectronics

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N° Mouser :

511-STP110N7F6

N° de fab. :

STP110N7F6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET LGS LV MOSFET

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STP110N7F6 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	68 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	100 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STP110N7F6
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STP110N7F6 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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