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STP110N8F6

Name: STMicroelectronics STP110N8F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP110N8F6
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP110N8F6

N° de fab. :

STP110N8F6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET

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Fiche technique:

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	1,02 €	10,20 €
	0,869 €	86,90 €
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	0,617 €	617,00 €
	0,612 €	1 224,00 €

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	48 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	61 ns
Série:	STP110N8F6
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	162 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	2 g