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STP11N60DM2

Name: STMicroelectronics STP11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11N60DM2
Price: 0.66 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STP11N60DM2

N° de fab. :

STP11N60DM2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

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Fiche technique:

STP11N60DM2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	370 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	16.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.3 ns
Série:	STP11N60DM2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	11.7 ns
Poids de l''unité:	2 g