STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modèle de ECAO:
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0,92 € 9,20 €
0,805 € 80,50 €
0,71 € 355,00 €
0,652 € 652,00 €
0,493 € 986,00 €
0,464 € 2 320,00 €
0,461 € 4 610,00 €
0,459 € 11 475,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 108 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 183 ns
Série: STP200N3LL
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 90 ns
Délai d'activation standard: 18 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible RDS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible RDS(on) du marché.
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