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STP4N150

Name: STMicroelectronics STP4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP4N150
Price: 5.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP4N150

N° de fab. :

STP4N150

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET PowerMESH MOSFET

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,30 €	5,30 €
	2,84 €	28,40 €
	2,59 €	259,00 €
	2,22 €	1 110,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerMESH
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	45 ns
Transconductance directe - min.:	3.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	STP4N150
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

STP4N150 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.