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STP4N52K3

Name: STMicroelectronics STP4N52K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP4N52K3
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP4N52K3

N° de fab. :

STP4N52K3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

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Fiche technique:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,31 €	1,31 €
	0,822 €	8,22 €
	0,682 €	68,20 €
	0,54 €	270,00 €
	0,49 €	490,00 €
	0,451 €	902,00 €
	0,378 €	1 890,00 €
	0,374 €	3 740,00 €
	0,373 €	9 325,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	525 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.75 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Pd - Dissipation d’énergie :	20 W
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	STP4N52K3
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STP4N52K3 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.