Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STP4NB80

STMicroelectronics

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STP4NB80

N° de fab. :

STP4NB80

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STP4NB80 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

Stock:: Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	STP4NB80
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STP4NB80 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Singapour
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS

MOSFET de puissance STL059N4S8AG

Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.