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STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 4.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP80N450K6

N° de fab. :

STP80N450K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Fiche technique:

STP80N450K6 Fiche technique (PDF)

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	4,21 €	4,21 €
	2,18 €	21,80 €
	1,98 €	198,00 €
	1,63 €	815,00 €
	1,49 €	1 490,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

Le MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N et très haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime. Cette technologie est basée sur 20 années d'expérience de STMicroelectronics dans la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance à l'état passant de sa catégorie par rapport à la surface et à la charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.