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STPSC30G065L2Y

Name: STMicroelectronics STPSC30G065L2Y
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC30G065L2Y
Price: 9.84 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STPSC30G065L2Y

N° de fab. :

STPSC30G065L2Y

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Diodes Schottky SiC 650 V, 30 A high surge silicon carbide power Schottky diode

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HU3PAK
Configuration:	Single
If - Courant direct:	30 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.3 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	200 A
Ir - Courant inverse:	25 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

Diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC

Les diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC de STMicroelectronics sont des diodes Schottky de puissance à ultra-haute performance. Le matériau à large bande interdite permet la conception d'une structure de diode Schottky avec un courant nominal de 650 V. Grâce à la construction Schottky, aucune récupération n'est affichée à l'arrêt et les schémas de sonnerie sont négligeables. Le comportement de mise hors tension capacitive minimal est indépendant de la température. Ces composants sont particulièrement adaptés à une utilisation dans les applications PFC et ils augmenteront les performances dans les conditions de commutation dure. La capacité de surtension directe élevée garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.