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STPSC4H065D

Name: STMicroelectronics STPSC4H065D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4H065D
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STPSC4H065D

N° de fab. :

STPSC4H065D

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Diodes Schottky SiC 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM

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Fiche technique:

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	1,80 €	1,80 €
	0,877 €	8,77 €
	0,78 €	78,00 €
	0,692 €	346,00 €
	0,581 €	581,00 €
	0,55 €	1 100,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AC-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	4 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.98 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	200 A
Ir - Courant inverse:	170 uA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STPSC
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STPSC4H065D Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC

Les diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC de STMicroelectronics sont des diodes Schottky de puissance à ultra-haute performance. Le matériau à large bande interdite permet la conception d'une structure de diode Schottky avec un courant nominal de 650 V. Grâce à la construction Schottky, aucune récupération n'est affichée à l'arrêt et les schémas de sonnerie sont négligeables. Le comportement de mise hors tension capacitive minimal est indépendant de la température. Ces composants sont particulièrement adaptés à une utilisation dans les applications PFC et ils augmenteront les performances dans les conditions de commutation dure. La capacité de surtension directe élevée garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.