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STQ2HNK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2HNK60ZR-AP
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STQ2HNK60ZR-AP

N° de fab. :

STQ2HNK60ZR-AP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

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Fiche technique:

STQ2HNK60ZR-AP Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,14 €	1,14 €
	0,726 €	7,26 €
	0,481 €	48,10 €
	0,382 €	191,00 €
	0,341 €	341,00 €
Ammo Pack complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,295 €	590,00 €
	0,277 €	1 108,00 €
	0,27 €	2 700,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	500 mA
Rds On - Résistance drain-source:	4.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperMESH
Conditionnement:	Ammo Pack
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	50 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	STQ2HNK60ZR-AP
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	453,600 mg