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STQ2LN60K3-AP

Name: STMicroelectronics STQ2LN60K3-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2LN60K3AP
Price: 0.82 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STQ2LN60K3AP

N° de fab. :

STQ2LN60K3-AP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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Fiche technique:

STQ2LN60K3-AP Fiche technique (PDF)

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,826 €	0,83 €
	0,513 €	5,13 €
	0,334 €	33,40 €
	0,256 €	128,00 €
	0,231 €	231,00 €
Ammo Pack complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,202 €	404,00 €
	0,182 €	728,00 €
	0,168 €	1 680,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	600 mA
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Ammo Pack
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.5 ns
Série:	STQ2LN60K3-AP
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	23.5 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	453,600 mg