STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics
511-STS8DN6LF6AG
STS8DN6LF6AG

Fab. :

Description :
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

Cycle de vie:
Fin de vie:
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En stock: 3 109

Stock:
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Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 3109 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,64 € 1,64 €
1,05 € 10,50 €
0,699 € 69,90 €
0,553 € 276,50 €
0,506 € 506,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,454 € 1 135,00 €
0,44 € 2 200,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
8 A
21 mOhms, 21 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
3.2 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Dual
Temps de descente: 7 ns, 7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 20 ns, 20 ns
Série: STS8DN6LF6AG
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 56 ns, 56 ns
Délai d'activation standard: 9.6 ns, 9.6 ns
Poids de l''unité: 750 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.